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开云体育注册入口:电路级静电防护设计技巧与ESD防护方法

发布时间:2024-04-29 09:02:08 作者:开云体育手机网页版 出处:开云体育app网页版官方入口

  常见的静电模型有:人体模型(HBM),带电器件模型,场感应模型,场增强模型,机器模型和模型等。则用IEC 6 1000-4-2的放电模型做测试。为对 ESD 的测试进行统一规范,在标准方面,欧共体的 IEC 61000-4-2 已建立起严格的瞬变冲击抑制标准;一定要符合这一标准之后方能销往欧共体的各个成员国。

  因此,大多数生产厂商都把 IEC 61000-4-2看作是 ESD 测试的事实标准。我国的国家标准(GB/T 17626.2-1998)等同于I EC 6 1000-4-2。大多是实验室用的静电发生器就是按 IEC 6 1000-4-2的标准,分为接触放电和空气放电。静电发生器的模型如图 1。放电头按接触放电和空气放电分尖头和圆头两种。

  IEC 61000-4-2的 静电放电的波形如图2,能够正常的看到静电放电主要电流是一个上升沿在1nS左右的一个上升沿,要消除这个上升沿要求ESD保护器件响应时间要小于这一段时间。静电放电的能量大多分布在在几十MHz到500MHz,很多时候我们能从频谱上考虑,如滤波器滤除相应频带的能量来实现静电防护。其放电频谱如下,这个图是我自己画的,只能定性的看,不能定量。

  IEC 61000-4-2规定了几个试验等级,目前手机CTA测试执行得是3级,即接触放电6KV,空气放电8KV。很多手机厂家内部执行更高的静电防护等级。

  当集成电路IC)经受静电放电( ESD)时,放电回路的电阻通常都很小,无法限制放电电流。例如将带静电的电缆插到电路接口上时,放电回路的电阻几乎为零,造成高达数十安培的瞬间放电尖峰电流,流入相应的 IC 管脚。瞬间大电流会严重损伤 IC ,局部发热的热量甚至会融化硅片管芯。ESD 对 IC的损伤还包括内部金属连接被烧断,钝化层受到破坏,晶体管单元被烧坏。

  ESD 还会引起 IC 的死锁( LATCHUP)。这种效应和 CMOS 器件内部的类似可控硅的结构单元被激活有关。高电压可激活这些结构,形成大电流信道,一般是从 VCC 到地。串行接口器件的死锁电流可高达 1A 。死锁电流会从始至终保持,直到器件被断电。不过到那时, IC 通常早已因过热而烧毁了。

  1.1、齐纳二极管( ZenerDiodes ,也称稳压二极管) :利用齐纳二极管的反向击穿特性可保护 ESD敏感器件。但是齐纳二极管通常有几十 pF 的电容,这对于高速信号(例如 500MHz)而言,会引起信号畸变。齐纳二极管对电源上的浪涌也有很好的吸收作用。

  1.2、瞬变电压消除器 TVS(Transient Voltage Suppressor):TVS 是一种固态二极管,专门用于防止 ESD 瞬态电压破坏敏感的半导体器件。与传统的齐纳二极管相比, TVS 二极管 P/N 结面积更大,这一结构上的改进使 TVS 具有更强的高压承担接受的能力,同时也降低了电压截止率,因而对于保护手持设备低工作电压回路的安全具有更好效果。

  TVS二极管的瞬态功率和瞬态电流性能与结的面积成正比。该二极管的结具有较大的截面积,能处理闪电和 ESD所引起的高瞬态电流。TVS也会有结电容,通常0.3个pF到几十个pF。TVS有单极性的和双极性的,使用时要注意。手机上用的TVS大约0.01,低容值的约2-3分。

  1.3、多层金属氧化物结构器件 (MLV):大陆一般称为压敏电阻。MLV也能够直接进行有效的瞬时高压冲击抑制,此类器件具有非线性电压 - 电流 ( 阻抗表现 ) 关系,截止电压可达最初中止电压的 2 ~ 3倍。这种特性适合用于对电压不太敏感的线路和器件的静电或浪涌保护,如电源回路,按键输入端等。手机用压敏电阻约0.0015$,大约是TVS价格的1/6,但是防护效果没有TVS好,且压敏电阻有寿命老化。

  一般能够最终靠串联电阻或者磁珠来限制ESD放电电流,达到防静电的目的。如图。如手机的高输入阻抗的端口可以串1K欧电阻来防护,如ADC,输入的GPIO,按键等。别担心0402的电阻会被打坏,实践证明是打不坏的。这里不详细分析。用电阻做ESD防护几乎不增加成本。如果用磁珠,磁珠的价格大 约0.002$,和压敏电阻差不多。

  前面提到了静电的能量频谱,如果用滤波器滤掉主要的能量也能达到静电防护的目的。

  对于频率低的信号,如GPIO输入,ADC,音频输入可以用1k+1000PF的电容来做静电防护,成本可忽略,性能不比压敏电阻差,如果用1K+50PF的压敏电阻(下面讲的复合保护措施),效果更好,经验证明这样防护效果有时超过TVS。

  对于微波信号,如果用TVS管,压敏等容性器件来做静电防护,射频信号会被衰减,因此要求TVS的电容很低,这样增加ESD措施的成本。对于微波信号可以对地并联一个几十nH的电感来为静电提供一个放电通道,对微波信号基本上没有影响,对于900MHZ和1800MHz的手机经常用22nH的电感。这样能把静电主要能量频谱上的能量吸收掉很多。

  有一种器件叫EMI filter,他有很好的ESD防护效果,如图。EMI filter也有基于TVS管的和基于压敏电阻的,前者效果好,但很贵,后者廉价,一般4路基于压敏电阻的EMI价格在0.02$。

  实际应用中可以用下面的一个电阻+一个压敏电阻的方式。他既有低通滤波器的功能,又有压敏电阻的功能,还有电阻串联限流的功能。是性价比最好的防护方式,对于高阻信号能够使用1K电阻+50PF压敏;对于耳机等音频输出信号能够使用100欧电阻+压敏电阻;对于TP信号串联电阻不能太大否则影响TP的线欧电阻。虽然电阻小了,低通滤波器效果已无了,但限流作用还是很重要的。

  可以在敏感信号附件增加地的漏铜,来吸收静电。道理和避雷针原理一样。在信号线上放置尖端放电点(火花隙)在山寨手机设计中也经常应用。